7月30日参加了的V技术研讨会上，其中主机厂（天际，小鹏），供应商（功率半导体，绝缘材料，定子）展示了很多的研究成果。
整体结论：
使用V系统在性能上有收益（综合3%的效率提升，功率能力上升潜力大，充电速度快但依赖于专用充电桩），仍然存在很多细节难点需要研发及工程上花时间去试错，技术不成熟，供应链不完善，成本上升（1万-2万）。
V平台的技术收益
V系统的使用：
驱动效率高，续航长；
相同导线直径下，充电更快；
电机的最大转速提高车辆极速；
功率密度更大加速可以更快；
提高电驱动系统的效率。
在动力电池技术突破缓慢的情况下，根据下图英飞凌工程师的描述，SiCMOS相对于硅基的IGBT在开关损耗(开通损耗和关断损耗)、和导通损耗等均有优势。使用SIC功率半导体，可以进一步提高电驱系统的效率。
根据天际汽车工程师展示的实车应用对比结果，
低速小扭矩段（对应城市工况），相同额外条件下，V电驱的效率比V电驱整体提升3%，局部提高9%。
高速段（-kph，基于天际汽车自身的仿真或实验环境）：V系统效率与V系统相差不大
提高充电速度
当前V系统中，电池Cell通过6并串（或4并串，并联单体数跟单体容量的选型相关）等类似的方式组成V的pack。
对于V系统，可以使用3并串的方式，提高电压平台。在受限于充电线缆的电流能力限制，充电总电流不变的情况下，充分发挥每个cell的充电能力，提高充电功率。提升充电速度。
提高电机的极速
目前电机的最大转速很大一部分受限于电压平台，涉及到电机的反电动势和弱磁控制。转速越高反电势越大，电机反电势超过母线电压后需要进行弱磁控制。找了一下公式。
电机的转速n=Ea/CeΦ=［U-Ia（Ra+Rf)］/CeΦ；（1）
其中：Ra---电机电枢电阻，Rf--电枢回路附加电阻，Ce---电机的电势常数，与电机结构有关；
电机的转速与⑴电机电枢二端电压U有关，电压越高，转速Max越大；
单电机功率能力的提升
SiC材质普遍支持更大的功率，在定子设计上使用更大的电流密度（如定子线圈匝数），带来更大磁通，可实现更大扭矩，配合更高转速，实现更大功率密度。
V平台的应用困难点：
V系统最关键的功率半导体SiC材料已经解决，但是仍存在系统应用上的困难。下面贴两张天际（主机厂）和松正（定子供应商）的总结PPT。
天际汽车的V挑战描述松正（定子供应商）总结的V优势挑战技术上的挑战
高压部件的EMC设计
（包括MCU，VDCDC），更高的电压变化带来成倍的EMC问题。
高压安全设计
高压部件的绝缘设计包括（MCU，DCDC，OBC，电机本体），更高的电压平台要求更强的绝缘，避免击穿，绝缘材料的绝缘性能，有更高要求（材料不变的情况下，绝缘层厚度需要上升）比如：更厚的绝缘层带来V电机定子铜满率的下降。
细节设计--爬电距离等，比如V系统下，铜排可以是这个间距，不产生爬电现象，即免轻微放电。V系统这个间隙需要加大。这种细节的设计还有很多，也会对生产制造工艺要求和过程控制要求更严苛。
成本挑战
所有高压用电器采用V平台，预计整车成本将增加1万-2万之间。
当前由于供应链不完善，已及充电设施的影响，高压用电器上无法全部采用V，目前OBC，MCU，HVBAT可使用V，V原件（如HVAC高压空调，HVPTC电热器）的使用需要额外增加一套V到V双向变压的直流DCDC（或功能）。其中V到V升压功能：用于兼容市场上现有的V快充桩。
后记：
当前市场上普通品牌主机厂不使用V系统，对于普通消费者来说不算坏事。V系统多花钱买到的是：
动力上：目前V系统双电机超过kW的动力已经相对过剩；
充电上：充电速度通常不是受限与电压平台而是公共桩的功率限制（一般快充桩只能提供50kW的充电），极速充电需要到车企自建的快充桩（也会受充电站电容量的限制），即使使用V平台，当前环境大多数情况也不能享受到极速充电；
产品可靠度上：V电器大多为初代产品，售后问题概率较V大；