微硕推出数十款高性能MOS,PD快充和无

近年来,消费类电源市场增速迅猛,一方面是USBPD快充实现了大规模普及,大功率以及高电压输出对MOS器件的耐压、内阻等各方面性能提出了更高的要求。与此同时,无线充电市场持续增长,苹果的磁吸无线充、各大安卓阵营的大功率无线充,以及成百上千家第三方品牌的无线充电产品,对线圈驱动MOS、电压转换MOS等的需求也更为强烈。

WINSOK微硕是一家专业功率半导体元件及类比IC的设计公司。通过对产品的持续创新,结合市场需求不断接受新挑战,持续精益深耕技术研发,致力提供卓越的设计和性能可靠的产品,以快速的响应与服务满足客户需求。

截至目前,微硕已针对USBPD快充的应用需求,推出了一系列MOS。微硕快充专用MOS产品主要有DNF3x3、DFN5x6以及SOP-8三种封装形式,分别有30V、40V、60V、V等多种耐压规格,可用于USBPD快充同步整流电路以及接口VBUS开关等。

为了应对无线充电市场发展需求,WINSOK微硕优化了现有的产品线,推出了一系列低内阻、大电流、低功耗MOS管,包括30V、60V、V、V等多种耐压的产品,分别有DNF3x3、DFN5x6、SOT-23、SOP-8封装方式,可以应用于18-W功率范围的多种磁吸无线充电方案中。

根据充电头网拆解报告得知,微硕半导体的MOS产品已经被广泛应用于无线充电器、UBSPD快充充电器中,进入了Anker、倍思、绿联、飞利浦、MOMAX等多家品牌供应链,产品性能获得客户的一致认可,下面为大家分享微硕MOS在无线充电市场以及USBPD快充市场的部分应用案例。

WINSOK微硕WSD30L40DN

微硕WSD30L40DN采用DFN3*3封装,P-MOS,耐压30V。

微硕WSD30L40DN规格资料。

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WINSOK微硕WSP

微硕WSP采用SOP-8封装,PMOS,耐压30V。

微硕WSP规格资料。

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WINSOK微硕WSP

是一颗高性能MOS管,在传统SO8封装中集成了两个MOS,采用先进的高密度技术,可提供同类产品中相对小的Ciss和RDSON。

微硕WSP规格资料。

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WINSOK微硕WSP

微硕WSP采用SOP-8封装,P-MOS,耐压30V。

微硕WSP详细规格资料。

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WINSOK微硕WSP

微硕WSP采用SOP-8封装,P-MOS管,耐压30V。

微硕WSP规格资料。

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WINSOK微硕WST

微硕WST采用SOT-23N封装,耐压20V。

微硕WST详细规格资料。

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WINSOK微硕WSPA

微硕WSPA双NMOS管,耐压20V,采用SOP-8封装。

微硕WSPA规格资料。

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WINSOK微硕WSPA

微硕WSPA双PMOS管,耐压20V,采用SOP-8封装。

微硕WSPA详细规格资料。

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WINSOK微硕WSDDN

微硕WSDDN高性能双NMOS,具有极高的功率密度,优秀的导阻和栅极电荷,适合于同步整流降压转换器,耐压30V,DFN3x3封装。

微硕WSDDN资料信息。

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WINSOK微硕WSP

微硕WSP双NMOS,耐压40V,导阻18mΩ,SOP-8封装。

微硕WSP规格资料。

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WINSOK微硕WSDDN

微硕WSDDN,高性能双NMOS,具有极低的Qg,耐压30V,导阻17mΩ,低导阻和低栅极电荷适合同步整流降压转换器应用,采用DFN3x3-8封装。

微硕WSDDN规格资料。

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充电头网总结

面对持续增长的消费类电源市场,微硕针对性的推出了数十款USBPD快充专用MOS以及无线充电专业用MOS,为电源厂商的产品开发提供了完整的MOS解决方案。

深圳市冠华伟业科技有限公司作为微硕大陆区的总代理商,其核心团队专注元器件15年,主营MOSFET、MCU、IGBT等器件,依托原厂全球总代理的优势,立足于中国市场,利用完善的优势服务为客户引进各类先进高科技电子元件,协助各厂家生产品质优良的产品并提供完善的服务。

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